[방사선 기술사업화 R&D 과제] 트리노테크놀로지, 양성자 조사 활용 n형 영역 IGBT 구현
[방사선 기술사업화 R&D 과제] 트리노테크놀로지, 양성자 조사 활용 n형 영역 IGBT 구현
  • 이재용 기자
  • 승인 2021.06.16 17:06
  • 댓글 0
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양성자 조사 공정 조건 및 후처리 공정 통한 IGBT 개선
150mm 웨이퍼 전용 양성자 조사 환경에 대한 투자 검토
오광훈 트리노테크놀로지 대표.
오광훈 트리노테크놀로지 대표.

[일렉트릭파워 이재용 기자] 트리노테크놀로지(대표 오광훈)는 전력변환회로의 핵심 부품인 전력반도체 소자를 생산·판매하고 있다.

국내외 파운드리를 활용해 제품을 생산하는 설계 중심의 기술 전문 기업이지만, 전력반도체 소자 중 고전압, 고효율 분야의 핵심 소자인 IGBT의 경우 핵심 제조 공정인 박막 가공을 포함한 후면공정은 자체 시설을 보유해 글로벌 대기업에 준하는 제품을 구현하고 있다.

오광훈 대표는 “전력반도체 핵심 소자의 하나인 IGBT 소자는 박막 가공 이후에 반도체 공정을 통해 n형 혹은 p형 영역을 형성해야 하지만, 전면 공정이 완료된 이후에는 전면의 금속층인 Al로 인해 Al의 융점이하인 500도 이하로 공정이 극히 제한적”이라며 “이를 해결하기 위한 방안의 하나로 방사선 기술 분야중 양성자 조사를 활용한 n형 영역을 형성하는 방법을 통한 IGBT를 구현했다”고 소개했다.

국내에는 상용화된 서비스를 제공하는 기관이 없는 상황이다. 기술 개발과 더불어 상용화를 위한 방안이 추가적으로 요구되는 상황이며, 일본 회사의 상용화 서비스를 활용하고 있다.
트리노테크놀로지는 2008년 창업이후 지속적으로 IGBT의 성능 개선을 통해 사업을 성장시켜왔다.

기존 제품으로는 가전용·산업용 분야의 시장에 진입했다. 다양한 양성자 조사 공정 조건 및 후처리 공정 등을 통해 보다 박막의 웨이퍼에 IGBT를 구현, 추가적인 특성 개선과 더불어 고신뢰성이 요구되는 전장용 분야에 적용 가능한 제품을 개발하고 있다.

오광훈 대표는 “방사선진흥협회 수행과제를 통해 기존에 전적으로 해외업체에 의존하던 양성자 조사 공정을 국내 기술로 대체 가능함을 확인하고 이를 토대로 차세대 제품 기술 개발의 기반을 마련하고자 한다”며 “현재까지의 실험 결과 기존과 동등 수준의 특성을 확보했으며 사업화를 위해 웨이퍼별 혹은 로트별 산포 특성을 추가적으로 검증하고 있다”고 과제에 대해 말했다.

방사선진흥협회 올해 R&D 과제를 통해 전적으로 해외에 의존하던 양성자 조사 공정을 국내 시설을 통해 가능함을 검증함에 따라서 해외업체와 국내기관 두가지 솔루션을 확보함에 따라 사업화 측면에서 생산 리스크를 감소시킬 수 있다는 게 오 대표의 설명이다.

오공훈 대표는 “국내기관을 통해 양성자 조사를 진행할 경우 전체 공정 시간 단축이 가능해 생산성 향상의 효과를 얻을 수 있다”며 “더불어 국내기관과의 협업으로 다양한 연구활동을 생산과 병행해 효과적인 기술 개발이 가능할 것으로 예상한다”고 말했다.

반면, 양성자 조사 등은 중소 민간기업이 운영하기엔 경제적 부담 및 관리 등의 어려움이 따른다는 애로점을 설명했다. 이 때문에 향후에도 해외업체의 상용화 서비스 활용과 국내기관의 개발환경을 병행해 활용하고자 계획하고 있다고 설명했다.

또 국내기관의 활용도를 향상하기 위해 150mm 웨이퍼 전용 양성자 조사 환경에 대한 투자를 검토하고 있다고 밝혔다.


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